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| α－Al_2O_3衬底上生长的GaN膜的光学性质 | |
| 引用本文： | 杨凯,张荣,秦林洪,沈波,施洪涛,郑有,黄振春.α－Al_2O_3衬底上生长的GaN膜的光学性质[J].高技术通讯,1996(10). |
| 作者姓名： | 杨凯 张荣 秦林洪 沈波 施洪涛 郑有 黄振春 |
| 作者单位： | 南京大学物理系(杨凯，张荣，秦林洪，沈波，施洪涛，郑有)，美国马里兰大学电子工程系(黄振春) |
| 基金项目： | 国家教委跨世纪人才专项基金,国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用金属有机化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜的直接带隙宽度和光学参数。 |
| 关 键 词： | α－Al_2O_3衬底，GaN薄膜，金属有机化学气相淀积，单晶，光学性质 |
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