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| GaP(-1-1-1)-1×1表面的Ga3d化学位移 | |
| 引用本文： | 邢益荣.GaP(-1-1-1)-1×1表面的Ga3d化学位移[J].半导体学报,1987,8(3):305-307. |
| 作者姓名： | 邢益荣 |
| 摘 要： | 单色的 Hellα(hv=40.8eV)光电子发射测量发现:在IBA的 GaP(III)-1×1表面上,最外层Ga原子的3d能级结合能比体内减小0.75±0.05eV.解释为表面原子的极化程度低于体内. |
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