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| 悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真 | |
| 作者姓名： | 屈岚 汪祖民 韩泾鸿 任振兴 夏善红 |
| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室 北京100080,中国科学院研究生院,北京100080,北京100080,中国科学院研究生院,北京100080,北京100080,北京100080,中国科学院研究生院,北京100080,北京100080 |
| 摘 要： | 通过对ISFET敏感机理的理论分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型,对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线,并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系,为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导。 |
| 关 键 词： | 离子敏场效应管 HSPICE 动态特性 悬浮栅 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |