电子束辐照对氧化锌纳米线I-V特性的影响 |
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作者姓名: | 卫斌 吉元 王丽 张隐奇 张小玲 吕长志 张跃飞 |
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作者单位: | [1]北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100022 [2]北京工业大学微电子可靠性研究室,北京100022 |
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摘 要: | 在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压(I-V)测试装置。测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属(M-S-M)结的I-V特征曲线。ZnO纳米线的I-V曲线呈现出较弱的肖特基特性。研究了电子束辐照对ZnO纳米线的I-V曲线的影响。30 keV电子束辐照使ZnO纳米线的总电阻减小。计算得到ZnO纳米线的电导率σ=0.24S/cm,载流子浓度n=1.64×10^16cm^-3。为了对比,还测试了单根碳纤维接触钨电极的I-V特征曲线。在30 keV电子束辐照下,碳纤维的总电阻保持不变,电导率σ=22 S/cm。
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关 键 词: | 电子束辐照 扫描电镜 ZnO纳米线 I-V曲线 |
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