| 基于CMOS工艺的音频前置放大器的设计与实现 |
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| 引用本文： | 王卉,王小军,马骏.基于CMOS工艺的音频前置放大器的设计与实现[J].电子器件,2007,30(3):870-873. |
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| 作者姓名： | 王卉 王小军 马骏 |
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| 作者单位： | 1. 杭州电子科技大学CAD研究所,杭州,310018
2. 杭州电子科技大学通信工程学院,杭州,310018 |
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| 摘 要： | 设计了一种基于CMOS技术的双声道四输入音频前置放大器芯片.芯片集成了音量控制、响度控制、可选择增益控制等功能,采用I2C介面控制,具有低失真、高可靠度等特点.放大器采用新颖的双级CMOS放大器结构,该结构简单,开环输出增益高,共模输入范围大,只有一个频率补偿电容.芯片根据国内生产线而设计制造,在ACSMC的3 μm9 V高压CMOS工艺线上流片,版图面积为3.0 mm×2.6 mm,样片经用户测试符合设计要求,可以产业化.
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| 关 键 词： | 前置放大器 音频 互补型金属氧化物半导体工艺 双声道 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）03-0870-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-28 |
Design of a Audio-Preamplifier by CMOS Technology |
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| WANG Hui,WANG Xiao-jun,MA Jun.Design of a Audio-Preamplifier by CMOS Technology[J].Journal of Electron Devices,2007,30(3):870-873. |
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| Authors: | WANG Hui WANG Xiao-jun MA Jun |
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| Affiliation: | 1. CAD Research Center, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China;2. Institute of Communications Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hanghzou 310018, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | preamplifier audio frequency CMOS process two tracks |
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