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| InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性 | |
| 引用本文： | 郑联喜,胡雄伟,韩勤.InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性[J].半导体学报,1999,20(4):265-269. |
| 作者姓名： | 郑联喜 胡雄伟 韩勤 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文研究了以ＩｎＡｌＧａＡｓ作垒层的ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决ＩｎＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ在生长温度范围不兼容的问题，得到了高质量的ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱材料．同时用Ｘ光和低温光致发光（ＰＬ）谱研究了量子阱结构的界面特性，表明适当的界面生长中断不仅可以改善界面平整度，而且能改善垒层ＩｎＡｌＧａＡｓ的质量． |
| 关 键 词： | 半导体激光器 量子阱 生长 砷化镓 界面特性 |
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