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| 负偏压对磁控溅射Mg_2Si薄膜的影响 | |
| 作者单位： | ;1.贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所;2.贵州师范大学物理与电子科学学院 |
| 摘 要： | 采用直流磁控溅射加负偏压方法和退火工艺制备了Mg_2Si半导体薄膜,研究了不同负偏压对Mg膜的沉积速率、Mg_2Si薄膜结构以及电阻率的影响。结果表明,随着负偏压的增大,因压实膜层和二次溅射效应,Mg膜的沉积速率越来越小;在未加负偏压时,Mg_2Si薄膜的衍射峰最强、样品表面平整致密,当衬底加上负偏压后,Mg_2Si衍射峰都有所减弱,样品表面变得凹凸不平;当负偏压达到–150 V时,表面已呈现明显的熔融状态,表明负偏压对Mg_2Si薄膜的晶体结构没有有益影响。Mg_2Si薄膜的电阻率随着所加负偏压的增大先减小后增大,并在–90 V时达到最小值。 |
| 关 键 词： | Mg_2Si薄膜 负偏压 磁控溅射 沉积速率 表面形貌 电阻率 |
Effects of negative bias on Mg2Si films deposited by DC magnetron sputtering |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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