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Yb_2O_3的掺杂方式对Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3陶瓷介电性能的影响
引用本文:齐建全,桂治轮,王永力,李琦,李龙土.Yb_2O_3的掺杂方式对Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3陶瓷介电性能的影响[J].无机材料学报,2001,16(5).
作者姓名:齐建全  桂治轮  王永力  李琦  李龙土
作者单位:清华大学材料系新型陶瓷与
摘    要:在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化.采用 Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高, 获得了室温介电常数>25000,1250℃左右烧成,符合Y5V标准的高介材料.合成后掺杂的 Yb2O3,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关.合成前掺杂Yb2O3 的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Yb的Ti位受主取代使施主引入的局域化电子 得到补偿的结果.

关 键 词:Yb2O3  Ba(Ti1-yZry)O3  介电性能

Influence of Doping Style of Yb_2O_3 on Dielectric Character of Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3 Ceramics
QI Jian-Quan,GUI Zhi-Lun,WANG Yong-Li,LI Qi,LI Long-Tu.Influence of Doping Style of Yb_2O_3 on Dielectric Character of Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3 Ceramics[J].Journal of Inorganic Materials,2001,16(5).
Authors:QI Jian-Quan  GUI Zhi-Lun  WANG Yong-Li  LI Qi  LI Long-Tu
Abstract:
Keywords:Yb2O3  Ba(Ti1-yZry)O3  dielectric properties
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