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TaC陶瓷的强化烧结
引用本文:曾玉林,熊翔,李国栋,陈招科.TaC陶瓷的强化烧结[J].粉末冶金材料科学与工程,2007,12(2):106-111.
作者姓名:曾玉林  熊翔  李国栋  陈招科
作者单位:中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 湖南省自然科学基金
摘    要:为探索开发低成本TaC陶瓷强化烧结制备工艺,以C、Ta和TaC粉末为原料,经成形、常压烧结制备出TaC陶瓷.结果表明:以C与Ta单质粉末为原料反应烧结时,发生自蔓延反应,产物疏松多孔,不能获得致密TaC陶瓷;纯TaC粉末在2 100℃烧结时为多孔烧结体,相对密度约为78%,孔隙大、量多且相互连通;采用添加少量C与Ta粉末强化烧结TaC坯体时,在2 100~2 300℃可以制备相对密度为91%以上的FaC无裂纹陶瓷;随强化烧结温度提高以及C、Ta粉末添加量的增加,陶瓷晶粒变粗,致密度提高.讨论了添加少量C与Ta粉末在TaC陶瓷烧结过程中的强化烧结机理.

关 键 词:TaC  强化烧结  多孔陶瓷  显微结构  自蔓延反应
文章编号:1673-0224(2007)2-106-06
修稿时间:2006-10-232006-10-30

TaC ceramic prepared by enhanced sintering technology
ZENG Yu-lin,XIONG Xiang,LI Guo-dong,CHENG Zhao-ke.TaC ceramic prepared by enhanced sintering technology[J].materials science and engineering of powder metallurgy,2007,12(2):106-111.
Authors:ZENG Yu-lin  XIONG Xiang  LI Guo-dong  CHENG Zhao-ke
Affiliation:State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China
Abstract:
Keywords:TaC  enhanced sintering  porous ceramic  microstructure  SHS
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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