| 衬底参数及界面特性对硅异质结电池性能的影响 |
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| 引用本文： | 孙永堂,周骏,孙铁囤,邸明东,苑红伟.衬底参数及界面特性对硅异质结电池性能的影响[J].半导体光电,2010,31(6). |
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| 作者姓名： | 孙永堂 周骏 孙铁囤 邸明东 苑红伟 |
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| 作者单位： | 江苏大学,机械工程学院光信息科学与技术系,江苏,镇江,212013;江苏大学,机械工程学院光信息科学与技术系,江苏,镇江,212013;宁波大学,理学院光学与光电子技术研究所,浙江,宁波,315211;常州亿晶光电科技有限公司,江苏,常州,213223 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省"钱江人才"项目，宁波市重点实验室基金，宁波市自然科学基金，江苏大学与常州亿晶光电科技有限公司联合研发项目 |
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| 摘 要： | 针对a-Si:H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系.结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面缺陷密度增大,主要降低开路电压和填充因子,衬底背表面界面缺陷态密度主要影响短路电流和填充因子.其次,p型硅衬底厚度减小和氧缺陷密度的增大,均导致短路电流密度下降,电池转化效率降低,特别是在界面缺陷态密度较低时,氧缺陷密度对电池性能影响较大;最后,在衬底前表面界面缺陷态密度为5×1010 cm-2,后表面界面缺陷态密度为5×1010 cm-2以及氧缺陷密度为109 cm-2时,衬底电阻率存在最优值1 Ω·cm.
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| 关 键 词： | 双面异质结 c-Si(p)衬底 太阳电池 AFORS·HET |
Effects of Substrate Parameters and Interfacial Characteristics on the Performance of Silicon Heterojunction Cells |
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| SUN Yongtang,ZHOU Jun,SUN Tietun,DI Mingdong,YUAN Hongwei.Effects of Substrate Parameters and Interfacial Characteristics on the Performance of Silicon Heterojunction Cells[J].Semiconductor Optoelectronics,2010,31(6). |
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| Authors: | SUN Yongtang ZHOU Jun SUN Tietun DI Mingdong YUAN Hongwei |
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| Affiliation: | SUN Yongtang1,ZHOU Jun1,2,SUN Tietun3,DI Mingdong1,YUAN Hongwei1(1.Department of Optical Engineering,School of Mechanical Engineering,Jiangsu University,Zhenjiang 212013,CHN,2.Institute of Optics & Optoelectronics,Faculty of Science,Ningbo University,Ningbo 315211,3.Changzhou Yijing Optical-electronic Co.Lit,Changzhou 213223,CHN) |
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