| 功率对制备β-FeSi2薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 胡维前,张晋敏,邵飞,卢顺顺,贺晓金,谢泉.功率对制备β-FeSi2薄膜的影响[J].电子科技,2015,28(5):111. |
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| 作者姓名： | 胡维前 张晋敏 邵飞 卢顺顺 贺晓金 谢泉 |
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| 作者单位： | (贵州大学 大数据与信息工程学院,贵州 贵阳 550025) |
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| 基金项目： | 贵州省优秀教育科技人才省长基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射方法,溅射室背底真空优于2.0×10-5 Pa,采用不同的功率在Si(100)(电阻率为7~13 Ωcm)衬底上沉积一层铁薄膜(150~330 nm),然后在900 ℃,15 h背底真空条件下(4×10-4 Pa)退火,形成了β-FeSi2。采用扫描电子显微镜(SEM)对其表面形貌结构进行表征,并采用X射线衍射仪(XRD)对其进行了晶体的结构分析,当溅射功率为70~100 W时,主要衍射峰来自β-FeSi2,但同时在2θ=45°处有较大的FeSi峰,在2θ=38°附近出现较大的Fe5Si3峰。研究结果表明,制备β-FeSi2薄膜的最佳溅射功率为110 W,在900 ℃退火15 h。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 &beta -FeSi2薄膜 晶体结构 形貌特征 |
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