| 稀释剂含量对自蔓延高温合成Si3N4-SiC-TiN陶瓷的影响 |
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| 引用本文： | 张学军,郑永挺,韩杰才,周立娟. 稀释剂含量对自蔓延高温合成Si3N4-SiC-TiN陶瓷的影响[J]. 硅酸盐学报, 2006, 34(6): 708-712 |
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| 作者姓名： | 张学军 郑永挺 韩杰才 周立娟 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | ![]()
以TiSi2和SiC为原料,利用自蔓延高温合成(self-propagation high-temperature synthesis,SHS)方法合成直径为24mm的Si3N4-SiC-TiN陶瓷.通过理论计算和实验研究了不同孔隙率压坯中稀释剂SiC含量对反应物TiSi2转化率的影响.结果表明:SiC在一定范围内增加有利于TiSi2的氮化,且含40%(质量分数,下同)SiC和50%SiC的压坯在燃烧合成过程中发生了SiC的氮化反应.压坯孔隙率为50%(体积分数,下同)时,反应物TiSi2氮化充分,最终产物为Si3N4-SiC-TiN.孔隙率为45%,含量为30%SiC和40%SiC压坯的合成产物中残留游离Si,50%SiC压坯的合成产物中未发现游离Si.在稀释剂含量为35%SiC,氮气压力为150 MPa条件下,所得的Si3N4-SiC-TiN复相陶瓷抗弯强度达430 MPa,断裂韧性为3.6MPa·m1/2.
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| 关 键 词： | 稀释剂 氮化硅-碳化硅-氮化钛陶瓷 自蔓延高温合成 氮化 |
| 文章编号： | 0454-5648(2006)06-0708-05 |
| 收稿时间： | 2005-10-25 |
| 修稿时间： | 2005-12-30 |
EFFECT OF DILUENT CONTENT ON Si3N4-SiC-TiN CERAMICS PREPARED BY SELF-PROPAGATION HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS |
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| ZHANG Xuejun,ZHENG Yongting,HAN Jiecai,ZHOU Lijuan. EFFECT OF DILUENT CONTENT ON Si3N4-SiC-TiN CERAMICS PREPARED BY SELF-PROPAGATION HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2006, 34(6): 708-712 |
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| Authors: | ZHANG Xuejun ZHENG Yongting HAN Jiecai ZHOU Lijuan |
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| Affiliation: | Centre for Composite Materials, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | diluent silicon mtride-silicon carbide-titanium nitride ceramics self-propagation high-temperature synthesis nitrification |
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