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| PECVD法沉积SiOxNy及其性质研究 | |
| 引用本文： | 徐宝琨,赵凤云.PECVD法沉积SiOxNy及其性质研究[J].功能材料,1991,22(5):275-278. |
| 作者姓名： | 徐宝琨 赵凤云 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系 化学系 长春 130023，化学系 长春 130023，化学系 长春 130023 |
| 摘 要： | 本文采用PECVD技术制备了SiO_xN_y薄膜。用光电子能谱仪和红外光谱仪等对薄膜的结构、组成和其它物理性质作了测量。对温度、功率等工艺参数对薄膜性质的影响作了研究。结果表明,该薄膜是一种非晶态无序结构的、具有良好的抗腐蚀和掩蔽特性的电绝缘介质膜。 |
| 关 键 词： | SiOxNy 绝缘薄膜 PECVD法 制备 |
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