高功率880nm激光芯片可靠性验证分析

高功率880nm激光芯片的结构设计，均采用大光学腔和小于0.62cm-1的低内损，并通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)工艺实现这种结构的外延。通过一系列标准和特殊制造工艺，实现了200μm发射器宽度和4mm腔长激光芯片。在P面朝下贴装在AlN陶瓷基板上后，测试880nm激光器的阈值电流为1.1A，斜率效率为1.11W/A，中心工作波长为11A时为880.8nm，光谱半高宽（FWHM）为2.2nm。在16A的连续电流和20°C的冷却水温下进行加速老化试验，老化时间达到2000h时无故障。根据ISO/FDIS 17526的Arrhenius模型，MTTF(Mean time to failure)计算为20万小时。