| 一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源 |
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| 作者姓名： | 侯德权 周莉 陈敏 肖璟博 刘云超 陈杰 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61434004);国家重大仪器设备专项资助项目(2013YQ31079903) |
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| 摘 要： | 设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源。利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压。采用0.18 μm 混合信号CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,该基准电压源的最小工作电压为1.25 V,在0 ℃~80 ℃温度范围内的温度系数为6.096×10-5/℃。
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| 关 键 词： | 基准电压源 亚阈值区 低功耗 模拟集成电路 |
| 收稿时间： | 2017-12-07 |
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