| 一种快速瞬态响应无片外电容LDO |
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| 作者姓名： | 王超 姚若河 邝国华 |
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| 作者单位： | 华南理工大学 电子与信息学院, 广州 510641,华南理工大学 电子与信息学院, 广州 510641,广东合微集成电路技术有限公司, 广东 东莞 523808 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61274085);广东省科技计划项目(2015B090909001) |
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| 摘 要： | 针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性。通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统的快速瞬态响应能力。基于TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺,设计了一种输入电压范围为1.92~3.60 V、输出电压为1.8 V的LDO。结果表明,负载在1 μs内从0变化到100 mA时,输出最大下冲电压为37.2 mV,响应时间为1.12 μs;负载在1 μs内从100 mA变化到0时,输出最大过冲电压为40.1 mV,响应时间为1.1 μs。
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| 关 键 词： | 无片外电容 线性稳压器 瞬态增强 快速瞬态响应 |
| 收稿时间： | 2017-11-15 |
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