超大规模FPGA的单粒子效应脉冲激光测试方法 |
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作者姓名: | 刘宇翔 张战刚 杨凯歌 雷志锋 黄云 恩云飞 |
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作者单位: | 工业和信息化部 电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广州 510610;华南理工大学 电子与信息学院, 广州510641,工业和信息化部 电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广州 510610,工业和信息化部 电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广州 510610,工业和信息化部 电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广州 510610,工业和信息化部 电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广州 510610,工业和信息化部 电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广州 510610 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(11505033) |
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摘 要: | 建立了一种28 nm HPL硅工艺超大规模SRAM型FPGA的单粒子效应测试方法。采用静态测试与动态测试相结合的方式,通过ps级脉冲激光模拟辐照实验,对超大规模FPGA进行单粒子效应测试。对实验所用FPGA的各敏感单元(包括块随机读取存储器、可配置逻辑单元、可配置存储器)的单粒子闩锁效应和单粒子翻转极性进行了研究。实验结果证明了测试方法的有效性,揭示了多种单粒子闩锁效应的电流变化模式,得出了各单元的单粒子效应敏感性区别。针对块随机读取存储器、可配置逻辑单元中单粒子效应翻转极性的差异问题,从电路结构方面进行了机理分析。
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关 键 词: | FPGA 单粒子效应 脉冲激光 辐照测试 单粒子翻转极性 |
收稿时间: | 2017-08-26 |
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