| InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析 |
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| 引用本文： | 雷玮,郭方敏,胡大鹏,朱自强,褚君浩.InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析[J].激光与红外,2008,38(10):1000-1003. |
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| 作者姓名： | 雷玮 郭方敏 胡大鹏 朱自强 褚君浩 |
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| 作者单位： | 华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200062 |
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| 摘 要： | 根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构.采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算.对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益.
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| 关 键 词： | 雪崩光电探测器 SACM结构 SAGCM结构 暗电流 增益 |
Simulation and Optimizing for Heterostructure of InGaAs/InP Avalanche Photo-detectors |
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| LEI Wei,GUO Fang-min,HU Da-peng,ZHU Zi-qiang,CHU Jun-hao.Simulation and Optimizing for Heterostructure of InGaAs/InP Avalanche Photo-detectors[J].Laser & Infrared,2008,38(10):1000-1003. |
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| Authors: | LEI Wei GUO Fang-min HU Da-peng ZHU Zi-qiang CHU Jun-hao |
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| Affiliation: | Key Laboratory of the Ministry of Education Polarization Materials and Devices,College of Information Sciences and Technology,East China Normal University,Shanghai 200062,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | APSYS |
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