| 铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响 |
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| 引用本文： | 邓海,杨德仁,唐骏,席珍强,阙端麟.铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响[J].太阳能学报,2007,28(2):151-154. |
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| 作者姓名： | 邓海 杨德仁 唐骏 席珍强 阙端麟 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
2. 浙江精工太阳能有限公司,宁波,315000 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目;教育部留学回国人员科研启动基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 应用微波光电导衰减仪(μ-PCD)测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示:距离硅锭底部4~5cm以及顶部约2cm的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域,而硅锭中间区域的少子寿命值较高且分布均匀。通过将样品在200℃下热处理10min,根据处理前后少子寿命值的变化,获得了间隙铁浓度沿硅锭方向的一维线性分布曲线。从曲线中可以发现铁在硅锭两端浓度较高,这与硅锭冷却过程中铁从坩埚向硅锭底部发生的固相扩散以及铁的分凝特性有关。另外通过傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)测试发现间隙氧浓度在硅锭底部较高,呈现从硅锭底部向顶部逐渐降低的趋势。研究结果表明硅锭中存在的高浓度的氧、铁等杂质为影响其少子寿命值的关键因素。
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| 关 键 词： | 铸造多晶硅 少子寿命 间隙铁 氧 |
| 文章编号： | 0254-0096（2007）02-0151-04 |
| 修稿时间： | 2005-11-18 |
THE IMPACT OF IMPURITIES ON MINORITY CARRIER LIFETIME OF MULTICRYSTALLINE SILICON |
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| Deng Hai,Yang Deren,Tang Jun,Xi Zhenqiang,Que Duanlin.THE IMPACT OF IMPURITIES ON MINORITY CARRIER LIFETIME OF MULTICRYSTALLINE SILICON[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2007,28(2):151-154. |
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| Authors: | Deng Hai Yang Deren Tang Jun Xi Zhenqiang Que Duanlin |
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| Affiliation: | 1. State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang Unitersity, Hangzhou 310027, China ; Ningbo 315000, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | multicrystalline silicon minority carrier lifetime interstitial iron oxygen |
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