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Bridgman法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体相形成规律和物理性能研究
引用本文:常永勤,安卫军,郭喜平,介万奇.Bridgman法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体相形成规律和物理性能研究[J].无机材料学报,2003,18(2):275-282.
作者姓名:常永勤  安卫军  郭喜平  介万奇
作者单位:西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西北工业大学凝固技术国家重点实验室 西安 710072,西安 710072,西安 710072,西安 710072
基金项目:国家自然科学基金(59872027),航空科学基金(98G53099)
摘    要:采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里-外斯定律,在低温区(<50K)则表现出顺磁增强现象.

关 键 词:MnxCd1-xIn2Te4  成分偏析  红外诱射光谱  磁化率
文章编号:1000-324X(2003)02-0275-08
收稿时间:2002-1-10
修稿时间:2002年1月10日

Phase Formation and Physical Properties of MnxCd1-XIn2Te4 Ingots Grown by the Bridgman Method
CHANG Yong-Qin,AN Wei-Jun,GUO Xi-Ping,JIE Wan-Qi.Phase Formation and Physical Properties of MnxCd1-XIn2Te4 Ingots Grown by the Bridgman Method[J].Journal of Inorganic Materials,2003,18(2):275-282.
Authors:CHANG Yong-Qin  AN Wei-Jun  GUO Xi-Ping  JIE Wan-Qi
Affiliation:StateKeyLaboratoryofSolidificationProcessing;NorthwesternPolytechnicalUniversity;Xian710072;China
Abstract:
Keywords:MnxCd1-xIn2Te4  compositional distribution  infrared transmission spectra  mag- netic susceptibility
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