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单片机的电磁抗扰度仿真与实验研究?
引用本文:孙朕,郝长峰.单片机的电磁抗扰度仿真与实验研究?[J].单片机与嵌入式系统应用,2015(6).
作者姓名:孙朕  郝长峰
作者单位:河南省高远公路养护技术有限公司,新乡,453003
基金项目:国家国际科技合作专项项目,交通运输部西部交通建设科技项目
摘    要:针对单片机的电磁兼容问题,采用了实验和仿真相结合的方式,研究了单片机的电磁抗扰度。首先利用 DPI法测试单片机的电磁抗扰度,其次提出了一种基于DPI的单片机电磁抗扰度 ICEM模型,利用 IC EMC仿真软件在不同的频率下对单片机的内核电压进行仿真,结果表明在低频段仿真结果和实验测试结果一致性较好,使用该模型可以对单片机的电磁抗扰度进行预测。

关 键 词:电磁兼容  DPI  电磁抗扰度

MicrocontroIIer EIectromagnetic Immunity SimuIation and ExperimentaI Study
Sun Zhen,Hao Changfeng.MicrocontroIIer EIectromagnetic Immunity SimuIation and ExperimentaI Study[J].Microcontrollers & Embedded Systems,2015(6).
Authors:Sun Zhen  Hao Changfeng
Abstract:
Keywords:electromagnetic compatibility  DPI  electromagnetic immunity
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