| 离子注入制备n型SiC欧姆接触的工艺研究 |
| |
| 引用本文： | 刘芳,张玉明,张义门,郭辉. 离子注入制备n型SiC欧姆接触的工艺研究[J]. 半导体技术, 2005, 30(4): 24-28 |
| |
| 作者姓名： | 刘芳 张玉明 张义门 郭辉 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国防重点实验室基金 |
| |
| 摘 要： | 由于杂质在SiC中的扩散系数很低,所以制备SiC器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术.本文采用蒙特卡罗模拟软件TRIM模拟得出不同能量不同剂量六次注入杂质的纵向分布图,根据大量文献数据和国内现有的制备水平,提出制备n型SiC欧姆接触最优的工艺流程.
|
| 关 键 词： | 离子注入技术 欧姆接触 激活率 退火 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)04-0024-05 |
| 修稿时间： | 2004-06-11 |
Technical Study of N-Type SiC Ohmic Contact by Ion Implantation |
| |
| LIU Fang,ZHANG Yu-ming,ZHANG Yi-men,Guo Hui. Technical Study of N-Type SiC Ohmic Contact by Ion Implantation[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(4): 24-28 |
| |
| Authors: | LIU Fang ZHANG Yu-ming ZHANG Yi-men Guo Hui |
| |
| Abstract: | Ion implantation is employed widely for local doping in SiC because of the smalldiffusivity of impurities. In this paper, TRIM is used to simulate profiles from different energies anddoses of six times' implantation and the ion implantation optimum processing for n-type SiC ohmiccontact is founded according to large numbers of literatures and domestic processing condition. |
| |
| Keywords: | ion implantation ohmic contact activation efficiency anneal |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
