| 基底温度对三氧化钨薄膜光电化学性能的调控研究 |
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| 引用本文： | 杨镜鑫,赵佳萍,郭佳兴,熊彪,林永乐,王进,曹林洪,熊政伟,符亚军.基底温度对三氧化钨薄膜光电化学性能的调控研究[J].材料科学与工艺,2021,29(5):63-69. |
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| 作者姓名： | 杨镜鑫 赵佳萍 郭佳兴 熊彪 林永乐 王进 曹林洪 熊政伟 符亚军 |
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| 作者单位： | 西南科技大学 材料科学与工程学院,四川 绵阳 621000 |
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| 基金项目： | 四川省科技厅重点项目(2020YJ0333)；西南科技大学博士基金(19ZX7131、18ZX7132). |
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| 摘 要： | 由于环境友好性、高的地球丰度和稳定的物理化学性质,三氧化钨在光电响应、光催化领域应用潜力巨大,受到了人们的广泛关注.薄膜形态的光催化材料能够避免粉体材料的团聚问题,并且在转移、回收再利用方面优势明显,因此制备用于光催化的三氧化钨薄膜是当前的研究前沿.本文通过磁控溅射在石英玻璃基底上沉积三氧化钨薄膜,研究了不同基底温度对薄膜结构和形貌的影响.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电镜、紫外可见吸收光谱、电化学工作站、光催化自组装平台对薄膜的成分形貌、光电化学性能、光催化活性进行表征.测试结果表明:基底温度为500℃时制备的单斜相三氧化钨薄膜具有较好的结晶性和更少缺陷,在500℃的基底温度下,新出现的(002)晶面取向的晶粒导致薄膜表面粗糙度和表面能增加,提升了光生电子空穴分离效率.光降解实验进一步证实此条件下制备的样品表现出最佳的光降解效率.可见,基底温度对磁控溅射制备的三氧化钨薄膜的光电化学性能有明显的调控作用.
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| 关 键 词： | 基底温度 磁控溅射 三氧化钨 光电响应 光催化薄膜 |
| 收稿时间： | 2021/4/19 0:00:00 |
Regulation of substrate temperature on photoelectrochemical properties of tungsten trioxide thin films |
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| YANG Jingxin,ZHAO Jiaping,GUO Jiaxing,XIONG Biao,LIN Yongle,WANG Jin,CAO Linhong,XIONG Zhengwei,FU Yajun.Regulation of substrate temperature on photoelectrochemical properties of tungsten trioxide thin films[J].Materials Science and Technology,2021,29(5):63-69. |
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| Authors: | YANG Jingxin ZHAO Jiaping GUO Jiaxing XIONG Biao LIN Yongle WANG Jin CAO Linhong XIONG Zhengwei FU Yajun |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621000, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | substrate temperature magnetron sputtering tungsten trioxide photoelectric response photocatalytic film |
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