| 半导体纳米粒子Bi2S3和NiS的光限幅特性研究 |
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| 引用本文： | 掌蕴东,朱俊杰,张云军,袁萍.半导体纳米粒子Bi2S3和NiS的光限幅特性研究[J].中国激光,2004,31(Z1). |
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| 作者姓名： | 掌蕴东 朱俊杰 张云军 袁萍 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐气体激光国家级重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150001
2. 南京大学化学与化工学院,江苏,南京,210093 |
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| 摘 要： | 研究了Bi2S2和NiS半导体纳米粒子的光限幅特性,测得了Bi2S3非线性阈值为0.11 J/cm2,NiS的非线性阈值为0.21 J/cm2.对两种样品进行了开孔Z-scan的实验,计算可知Bi2S3非线性吸收系数β≈9 cm/GW,NiS的非线性吸收系数β≈8 cm/GW.在NiS半导体纳米粒子的乙醇溶液进行闭孔Z-scan时,发现样品有自聚焦的特性,也就是说样品的非线性折射率系数n2＞O,计算得y≈2.66×104 cm2/GW.
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| 关 键 词： | 非线性光学 纳米粒子 Z扫描 光限幅 |
Optical Limiting Characteristic of Semiconductor Nano-Particles Bi2S3 and NiS |
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