| LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展 |
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| 引用本文： | 陈金菊,王步冉,邓宏. LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展[J]. 半导体光电, 2011, 32(4): 449-454,516 |
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| 作者姓名： | 陈金菊 王步冉 邓宏 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;西南电子设备研究所,成都,610036 |
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| 摘 要： | GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长,基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光效率降低,而沿非极性面生长的GaN外延膜可以改善或消除极化效应导致的辐射复合效率降低和发光波长蓝移等问题。文章总结了非极性GaN外延膜的制备技术及研究进展,包括平面外延技术和横向外延过生长技术,指出开发非极性GaN自支撑衬底、发展非极性GaN的横向外延生长技术是制备低位错密度非极性GaN的研究方向。
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| 关 键 词： | LED 非极性GaN 横向外延过生长 位错 |
Progress in the Epitaxial Growth of Nonpolar GaN for LEDs |
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| CHEN Jinju,WANG Buran,DENG Hong. Progress in the Epitaxial Growth of Nonpolar GaN for LEDs[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2011, 32(4): 449-454,516 |
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| Authors: | CHEN Jinju WANG Buran DENG Hong |
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| Affiliation: | 1(1.State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,CHN;2.Southwest Institute of Electronic Equipment,Chengdu 610036,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LED nonpolar GaN lateral epitaxial overgrowth dislocation |
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