| 退火温度对Ge/SiO2多层膜的结构和光学性能的影响 |
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| 引用本文： | 彭洁,李子全,刘劲松,蒋明,许奇.退火温度对Ge/SiO2多层膜的结构和光学性能的影响[J].材料工程,2014(9):32-38. |
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| 作者姓名： | 彭洁 李子全 刘劲松 蒋明 许奇 |
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| 作者单位： | 1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,211106
2. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京211106;南京化工职业技术学院,南京210048 |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术在石英衬底上制备出(Ge/SiO2)15多层膜,并在不同温度下对其进行退火处理。XRD和Raman结果表明:溅射态的薄膜为非晶态,当退火温度为500℃时开始出现明显的结晶衍射峰,随后晶化率明显增大,当600℃后,薄膜的晶化率几乎不变。FESEM和小角度X射线衍射结果表明:溅射态薄膜的层与层之间存在明显的界面,具有良好的周期性,升高退火温度,晶粒尺寸增大,但仍保持周期性结构。薄膜的紫外-可见光吸收光谱表明:随着退火温度的升高,吸收边发生红移,光学带隙从溅射态的1.86eV减小到600℃时的1.59eV。
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| 关 键 词： | Ge/SiO2多层薄膜 射频磁控溅射 退火温度 UV-VIS光谱 小角度X射线衍射 |
Effect of Annealing Temperature on Structure and Optical Properties of Ge/SiO2 Multilayer Films |
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| PENG Jie,LI Zi-quan,LIU Jing-song,JIANG Ming,XU Qi.Effect of Annealing Temperature on Structure and Optical Properties of Ge/SiO2 Multilayer Films[J].Journal of Materials Engineering,2014(9):32-38. |
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| Authors: | PENG Jie LI Zi-quan LIU Jing-song JIANG Ming XU Qi |
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| Affiliation: | PENG Jie;LI Zi-quan;LIU Jing-song;JIANG Ming;XU Qi;College of Material Science and Technology,Nanjing University of Aeronautics & Astronautics;Nanjing College of Chemical Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge/SiO2 multilayer film RF magnetron sputtering annealing temperature UV-VIS spectra SAXRD |
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