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| 影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素 | |
| 引用本文： | 谢自力,夏德谦.影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素[J].半导体技术,1997(6):51-54,50. |
| 作者姓名： | 谢自力 夏德谦 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 研究了影响ＬＥＣ生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布，热对流，坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对ＬＥＣ法生长的ＧａＡｓ单晶锭子长度都有影响。 |
| 关 键 词： | 液封直拉 热场分布 砷化镓 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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