| 大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应 |
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| 引用本文： | 何宝平,周荷琴,郭红霞,周辉,罗尹虹,姚志斌,张凤祁.大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应[J].半导体学报,2006,27(1):121-125. |
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| 作者姓名： | 何宝平 周荷琴 郭红霞 周辉 罗尹虹 姚志斌 张凤祁 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学，合肥 230026;西北核技术研究所，西安 710024;中国科学技术大学，合肥 230026;西北核技术研究所，西安 710024;西北核技术研究所，西安 710024;西北核技术研究所，西安 710024;西北核技术研究所，西安 710024;西北核技术研究所，西安 710024 |
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| 摘 要： | 提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.
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| 关 键 词： | 大规模集成电路 总剂量效应 低剂量率 失效时间 规模集成电路 浮栅 器件 总剂量辐射效应 Devices Gate Floating Integrated Circuit Dose Effect 环境 低剂量率 空间 预估 实验技术 外推 辐射剂量率 失效时间 功能 参数 辐照实验 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)01-0121-05 |
| 收稿时间： | 08 14 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 09 25 2005 12:00AM |
Total Dose Effect of Large-Scale Integrated Circuit Floating Gate ROM Devices |
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| He Baoping,Zhou Heqin,Guo Hongxi,Zhou Hui,Luo Yinhong,Yao Zhibin and Zhang Fengqi.Total Dose Effect of Large-Scale Integrated Circuit Floating Gate ROM Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1):121-125. |
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| Authors: | He Baoping Zhou Heqin Guo Hongxi Zhou Hui Luo Yinhong Yao Zhibin and Zhang Fengqi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | very large scale integrated circuits total dose effect low dose rate failure time |
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