| 一种应用于6-9GHz UWB系统的低噪声CMOS射频前端设计 |
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| 作者姓名： | 周锋 高亭 兰飞 李巍 李宁 任俊彦 |
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| 基金项目： | National Sci & Tech Major Projects of China under Grant numbers of 2009ZX03006-007-01, 2009ZX03007-001, 2009ZX03006-009, and National High Tech R&D (863) Program of China with grant number of 2009AA01Z261 |
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| 摘 要： | 本文介绍了一种应用于6-9 GHz超宽带系统的全集成差分CMOS射频前端电路设计。在该前端电路中应用了一种电阻负反馈形式的低噪声放大器和IQ两路合并结构的增益可变的折叠式正交混频器。芯片通过TSMC 0.13µm RF CMOS工艺流片,含ESD保护电路。经测试得该前端电路大电压增益为23~26dB,小电压增益为16~19dB;大增益下前端电路平均噪声系数为3.3-4.6dB,小增益下的带内输入三阶交调量(IIP3)为-12.6dBm。在1.2V电压下,消耗的总电流约为17mA。
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| 关 键 词： | 互补金属氧化物硅 超宽带 电阻负反馈低噪声放大器 折叠式正交混频器 噪声系数 线性度 |
| 收稿时间： | 2010-05-08 |
| 修稿时间： | 2010-07-05 |
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