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| 国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势 | |
| 引用本文： | 童志义.国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势[J].电子工业专用设备,1992,21(1):13-25. |
| 作者姓名： | 童志义 |
| 作者单位： | 机电部第45研究所 |
| 摘 要： | 本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM时代的蚀刻技术的发展趋势。 |
| 关 键 词： | 干法蚀刻 反应离子蚀刻 磁控反应离子蚀刻 ECR等离子蚀刻模块组合设备 蚀刻设备 |
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