| 低温下应变外延层的单层生长 |
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| 引用本文： | 段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平. 低温下应变外延层的单层生长[J]. 半导体学报, 2003, 24(4): 362-365 |
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| 作者姓名： | 段瑞飞 王宝强 朱占平 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,新材料部,北京,100083;中国科学院半导体研究所,新材料部,北京,100083;中国科学院半导体研究所,新材料部,北京,100083;中国科学院半导体研究所,新材料部,北京,100083 |
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| 摘 要： | 用接触式原子力显微镜来观察 4 6 0℃低温下生长的 In0 .35Ga0 .6 5As/ Ga As外延层形貌 .实验发现 ,这种 4 6 0℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的 Fvd M生长模式也不是岛状的 SK自组织生长模式 ,而是由原子单层构成的梯田状大岛 .原子力显微镜测试表明台阶的厚度为 0 .2 8nm,约为一个原子单层 ,这种介于层状和岛状生长之间的模式有助于了解失配异质外延的生长过程
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| 关 键 词： | InGaAs/GaAs 分子束外延 原子力显微镜 外延层 单层生长 |
Single Layer Growth of Strained Epitaxy at Low Temperature |
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| Duan Ruifei,Wang Baoqiang,Zhu Zhanping,Zeng Yiping. Single Layer Growth of Strained Epitaxy at Low Temperature[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(4): 362-365 |
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| Authors: | Duan Ruifei Wang Baoqiang Zhu Zhanping Zeng Yiping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs/GaAs molecular beam epitaxy atomic force microscopy epilayer monolayer growth |
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