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手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析
作者姓名:李拂晓  蒋幼泉  吴振海  徐中仓  钮利荣  周剑明  邵凯  杨乃彬
作者单位:南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016
基金项目:国家计委科技攻关项目;;
摘    要:采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.

关 键 词:砷化镓  单片  射频开关  成品率分析
文章编号:0253-4177(2002)04-0403-05
修稿时间:2001-05-30
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