手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析 |
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作者姓名: | 李拂晓 蒋幼泉 吴振海 徐中仓 钮利荣 周剑明 邵凯 杨乃彬 |
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作者单位: | 南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016 |
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基金项目: | 国家计委科技攻关项目;; |
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摘 要: | 采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.
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关 键 词: | 砷化镓 单片 射频开关 成品率分析 |
文章编号: | 0253-4177(2002)04-0403-05 |
修稿时间: | 2001-05-30 |
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