|
|||||
|
|
| 真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质 | |
| 引用本文： | 杜开英,陈义.真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质[J].半导体学报,1995,16(4):303-308. |
| 作者姓名： | 杜开英 陈义 |
| 作者单位： | 四川大学物理系 |
| 摘 要： | 使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１．５５之间；介电常数大于３．６；击穿电场强度在１e７Ｖ／ｃｍ的量级；用氯氟酸腐蚀液（参考配方：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１２）测得膜的平均腐蚀速率约为１．２７ｕｍ／ｓ．试用表明，当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离，替代ＰＥＣＶＤ和热ＣＶＤ工艺时，器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改 |
| 关 键 词： | 二氧化硅薄膜 生长 低温 CVD法 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |