稀磁半导体Cd1—xFexTe的巨法拉第效应 |
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引用本文: | 王学忠,马可军.稀磁半导体Cd1—xFexTe的巨法拉第效应[J].半导体学报,1995,16(11):835-841. |
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作者姓名: | 王学忠 马可军 |
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摘 要: | 在70-300K温度范围内测量研究了组分x为0.01,0.003和0.06的稀磁半导体Cd1-xFexTe的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系。首次用多振子模型拟合实验结果,获得了布里渊区Γ点的激子能量E0和L点的能隙E1随组分x的变化规律和E0的温度关系。讨论了Fe^++离子内部能级间跃迁对实验结果的影响。
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关 键 词: | 稀磁半导体 巨法拉第效应 CdFeTe 半导体材料 |
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