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| 悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真 | |
| 引用本文： | 屈岚,汪祖民,韩泾鸿,任振兴,夏善红. 悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真[J]. 微纳电子技术, 2007, 44(7): 363-366 |
| 作者姓名： | 屈岚 汪祖民 韩泾鸿 任振兴 夏善红 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;中国科学院,研究生院,北京,100080 2. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080 |
| 摘 要： | 通过对ISFET敏感机理的理论分析，根据表面基模型，建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型，对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线，并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系，为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导。 |
| 关 键 词： | 离子敏场效应管 动态特性 悬浮栅 |
| 文章编号： | 1671-4776（2007）07/08-0363-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-11 |
Dynamic Behavior Simulation of Floating-Gate Structure ISFETs with HSPICE |
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| Qu Lan,WANG Zu-min,HAN Jing-hong,REN Zhen-xing,XIA Shan-hong. Dynamic Behavior Simulation of Floating-Gate Structure ISFETs with HSPICE[J]. Micronanoelectronic Technology, 2007, 44(7): 363-366 | |
| Authors: | Qu Lan WANG Zu-min HAN Jing-hong REN Zhen-xing XIA Shan-hong |
| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China 2. Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080,China |
| Abstract: | |
| Keywords: | HSPICE |
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