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具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计
引用本文:李演明,来新泉,贾新章,曹玉,叶强.具有快速瞬态响应和低静态电流的CMOS低漏失稳压器设计[J].电子学报,2009,37(5):1130-1135.
作者姓名:李演明  来新泉  贾新章  曹玉  叶强
作者单位:1. 西安电子科技大学电路CAD研究所,陕西西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安,710071
2. 西安电子科技大学电路CAD研究所,陕西西安,710071
3. 西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安,710071
基金项目:国家部委重点预研资助项目,国家自然科学基金,教育部超高速电路与电磁兼容重点实验室专项基金 
摘    要: 设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器,利用提出的一种瞬态响应加速(Transient Response Enhancement,TRE)电路,有效地提高了稳压器的瞬态响应速度,而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流.设计的LDO电路采用0.5μm标准CMOS工艺投片验证,芯片面积为0.49mm2.该LDO空载下的静态电流仅23μA,最大带载200mA.在1μF输出电容、200mA/100ns负载阶跃变化时的最大瞬态输出电压变化量小于3.5%.

关 键 词:线性稳压器  低漏失稳压器  快速瞬态响应  电源管理IC
收稿时间:2008-05-27

A Fast-Transient Response and Low-Quiescent Current CMOS Low-Dropout Regulator
LI Yan-ming,LAI Xin-quan,JIA Xin-zhang,CAO Yu,YE Qiang.A Fast-Transient Response and Low-Quiescent Current CMOS Low-Dropout Regulator[J].Acta Electronica Sinica,2009,37(5):1130-1135.
Authors:LI Yan-ming  LAI Xin-quan  JIA Xin-zhang  CAO Yu  YE Qiang
Affiliation:1.Institute of Electronic CAD;Xidian University;Xi'an;Shaanxi 710071;China;2.Microelectronics Institute;China
Abstract:A low-dropout regulator (LDO) with fast-transient response speed is presented by utilizing the proposed transient response enhancement (TRE) circuit,which doesn't bring the quiescent current increase.The proposed LDO has been fabricated in a 0.5 μm standard CMOS process,and the die area is 0.49mm2.The proposed LDO dissipates 23 μA quiescent current at no-load condition and is able to deliver up to 200mA load current.With a 1 μF output capacitor,the maximum transient output-voltage variation is within 3.5% of the output voltage with load step changes of 200mA/100ns.
Keywords:linear regulator  low-dropout regulator (LDO)  fast-transient response  power management ICs
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