| 碳离子辐射对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 刘运宏,王荣,孙旭芳.碳离子辐射对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响的研究[J].核技术,2007,30(4):259-261. |
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| 作者姓名： | 刘运宏 王荣 孙旭芳 |
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| 作者单位： | 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室，北京师范大学低能核物理研究所北京100875，北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室，北京师范大学低能核物理研究所北京100875，北京市辐射中心北京100875，北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室，北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京100875，北京100875，北京100875 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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北京市跨世纪优秀人才培养计划
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北京市教委共建项目 |
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| 摘 要： | 利用2×1.7 MV串列静电加速器提供的碳(C)离子束模拟空间环境辐射,对空间GaAs/Ge太阳电池用注量为3.1×109-6.9×1012 cm-2的2 MeV C离子进行辐照.通过Ⅰ-Ⅴ特性和光谱响应测试,研究分析了GaAs/Ge太阳电池的C离子辐射效应.结果表明:随着C离子辐照注量的增加,GaAs/Ge太阳电池电性能参数Isc、Voc和Pmax衰降增大,其中Pmax衰降最大,Isc次之,Voc最小.该衰降规律和质子辐照的衰降规律相似.但使GaAs/Ge太阳电池的Pmax衰降到原值的50%,用C离子辐照所需注量要比相同射程的质子辐照小两个量级.在低注量辐照时,光谱响应衰降主要发生在长波范围;而注量大于3.1×1010 cm-2时,则发生明显的长、短波整个波段的光谱响应衰降;当注量增大到2.3×1011 cm-2以上,光谱响应基本消失.
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| 关 键 词： | GaAs/Ge 太阳电池 碳离子 辐照 碳离子辐射 空间 GaAs 太阳电池 性能影响 研究 effects ion irradiation Carbon 波段 短波 范围 长波 发生 光谱响应测试 射程 原值 相似 质子辐照 规律 |
| 修稿时间： | 2007-01-122007-01-23 |
Carbon ion irradiation effects on GaAs/Ge solar cells |
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| LIU Yunhong,WANG Rong,SUN Xufang.Carbon ion irradiation effects on GaAs/Ge solar cells[J].Nuclear Techniques,2007,30(4):259-261. |
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| Authors: | LIU Yunhong WANG Rong SUN Xufang |
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| Affiliation: | 1.Key Laboratory of Beam Technology and Materials Modification of Ministry of Education, Beijing 100875 ;2.Institute of Low Energy Nuclear Physics, Beijing Normal University, Beijing 100875, China;3.Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs/Ge Solar cells Carbon ions Irradiation |
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