| LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 |
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| 引用本文： | 曾莹,王纪民.LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究[J].微电子学,1997,27(1):37-42. |
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| 作者姓名： | 曾莹 王纪民 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
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| 摘 要： | 研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。
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| 关 键 词： | MOSFET 轻掺杂漏 场效应型 集成电路 |
A Study on LDD Structure for Improving Circuit Operating Voltage |
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| ZENG Ying and WANG Jimin Institute of Microelectronics,Tsinghua Univ.,Beijing.A Study on LDD Structure for Improving Circuit Operating Voltage[J].Microelectronics,1997,27(1):37-42. |
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| Authors: | ZENG Ying and WANG Jimin Institute of Microelectronics Tsinghua Univ Beijing |
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| Affiliation: | ZENG Ying and WANG Jimin Institute of Microelectronics,Tsinghua Univ.,Beijing 100084 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOSFET Semiconductor process Lightly doped drain |
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