| 一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路 |
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| 作者姓名： | 陈磊 李萌 张润曦 赖宗声 俞建国 |
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| 作者单位： | 华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062;华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062 |
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| 基金项目： | 上海市科委资助项目
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江苏省专用集成电路设计重点实验室项目 |
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| 摘 要： | 基于TSMC 0.18μm标准CMOS标准工艺,提出了一种低温度系数,宽温度范围的带隙基准电压电路,该电路具有高电源抑制比,启动快及宽电源电压工作区域的优点,由于具备输出缓冲,可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力.电路在-40℃到 110℃的温度变化范围内,基准电压为2.302 0 V±0.001 5 V,温度系数仅为7.25×10-6/℃(-40℃到 110℃时),PSRR为64 dB(11 kHz处),电源电压变化范围为1.6～4.3 V,输出噪声为5.018μV/平方根Hz(1 kHz处).
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| 关 键 词： | 带隙基准 低温度系数 PTAT电路 电源抑制比 压控振荡器 |
| 文章编号： | 1005-9490(2008)03-0820-04 |
| 修稿时间： | 2007-05-14 |
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