首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

多晶硅发射极晶体管(PEI)Gummel—Poon模型
引用本文:郑云光,蒋翔六.多晶硅发射极晶体管(PEI)Gummel—Poon模型[J].电子学报,1995,23(5):1-6.
作者姓名:郑云光  蒋翔六
摘    要:本文建立了能直接用于SPICE电路分析程序中的PET-GP模型。研究表明:可以采用两种方法来使用PET-GP模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了PET-GP模型参数βF和特征频率fT。fT的计算和实验结果符合较好。βF的计算表明,所研究器件的多晶硅/硅界面复合较强,复合速度SP达到10^6cm/s。

关 键 词:多晶硅  发射极  晶体管  GP模型
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号