多晶硅发射极晶体管(PEI)Gummel—Poon模型 |
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引用本文: | 郑云光,蒋翔六.多晶硅发射极晶体管(PEI)Gummel—Poon模型[J].电子学报,1995,23(5):1-6. |
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作者姓名: | 郑云光 蒋翔六 |
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摘 要: | 本文建立了能直接用于SPICE电路分析程序中的PET-GP模型。研究表明:可以采用两种方法来使用PET-GP模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了PET-GP模型参数βF和特征频率fT。fT的计算和实验结果符合较好。βF的计算表明,所研究器件的多晶硅/硅界面复合较强,复合速度SP达到10^6cm/s。
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关 键 词: | 多晶硅 发射极 晶体管 GP模型 |
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