| 逆导型IGBT发展综述 |
| |
| 引用本文： | 刘志红,汤艺,盛况.逆导型IGBT发展综述[J].中国电机工程学报,2019(2):550-561,652. |
| |
| 作者姓名： | 刘志红 汤艺 盛况 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学电气工程学院;嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| |
| 基金项目： | 上海市科委科研计划项目(18511105100)~~ |
| |
| 摘 要： | 该文概述垂直型RC-IGBT自发明以来的主要发展和当前的主要研究问题,包括:IGBT正向输出特性的Snap-back抑制、RC-IGBT关断及二极管反向恢复动态波形优化、器件纵向漂移区载流子浓度分布优化、器件横向载流子密度及电场分布均匀性优化、器件工作时的温度特性、工艺问题及器件仿真问题等。文中同时简要介绍ABB、英飞凌、三菱及富士推出的最新一代逆导型IGBT器件的器件特性及结构特征。
|
| 关 键 词： | 逆导型IGBT RC—IGBT 回跳 反向恢复 载流子分布 |
Latest Developments of Reverse-conducting IGBT |
| |
| LIU Zhihong,TANG Yi,SHENG Kuang.Latest Developments of Reverse-conducting IGBT[J].Proceedings of the CSEE,2019(2):550-561,652. |
| |
| Authors: | LIU Zhihong TANG Yi SHENG Kuang |
| |
| Affiliation: | (College of Electrical Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,Zhejiang Province,China;Star Power Semiconductor Ltd.,Jiaxing 314006,Zhejiang Province,China) |
| |
| Abstract: | LIU Zhihong;TANG Yi;SHENG Kuang(College of Electrical Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,Zhejiang Province,China;Star Power Semiconductor Ltd.,Jiaxing 314006,Zhejiang Province,China) |
| |
| Keywords: | reverse-conducting insulated gate bipolar transistor RC-IGBT snap-back reverse recovery carrier profile |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
