| 用MOS C-V技术同时确定体产生寿命和表面产生速度 |
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| 引用本文： | 黄庆安,史保华,张德胜,顾英.用MOS C-V技术同时确定体产生寿命和表面产生速度[J].西安电子科技大学学报,1988(2). |
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| 作者姓名： | 黄庆安 史保华 张德胜 顾英 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所 |
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| 摘 要： | 本文根据线性扫描电压作用下的深耗尽高频 MOS C-V 特性,采用修正的体产生区宽度,提出了一种快速确定体产生寿命和表面产生速度的新方法。
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| 关 键 词： | MOS 系统 少数载流子 寿命 表面复合 |
Simultaneous Determination of Minority Carrier Lifetime and Surface Generation Velocity Using a MOS C-V Technique |
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| Huang Qingan Shi Baohua Zhang Desheng Gu Ying.Simultaneous Determination of Minority Carrier Lifetime and Surface Generation Velocity Using a MOS C-V Technique[J].Journal of Xidian University,1988(2). |
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| Authors: | Huang Qingan Shi Baohua Zhang Desheng Gu Ying |
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| Affiliation: | Huang Qingan Shi Baohua Zhang Desheng Gu Ying |
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| Abstract: | Based on the deeply depleted high frequency MOS C-V characteristics
derived in response to a linear voltage sweep,A new method for rapidly
determining minority generation lifetime and surface generation velocity,
is developed,which takes the modified generation width into account. |
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| Keywords: | Mos System Minority Carrier Time Surface Recombination |
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