| 纳晶硅氧化层中的陷阱态(英文) |
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| 引用本文： | 黄伟其,秦朝建,许丽,吴克跃. 纳晶硅氧化层中的陷阱态(英文)[J]. 材料科学与工程学报, 2009, 0(1) |
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| 作者姓名： | 黄伟其 秦朝建 许丽 吴克跃 |
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| 作者单位： | 贵州省光电子技术与应用重点实验室;中国科学院地球化学研究所; |
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| 基金项目： | Project supported by the National Natural Science Foundation of China(10764002) |
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| 摘 要： | ![]()
由Si-H键钝化的多孔硅的光致荧光(PL)发光频移遵循量子受限效应,随着纳米结构尺寸的变小PL发光频率从红外蓝移到紫外。多孔硅被氧化后,PL发光带的中心波长被钉扎在700nm~750nm范围,且强度明显增加。计算表明,氧化后的Si=O键或Si—O—Si键能在展宽的导带下方形成电子陷阱态。由此提出量子受限与氧化陷阱态模型可以很好地解释PL发光的钉扎和增强效应。该模型中的电子陷阱态扮演了重要的角色。
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| 关 键 词： | 光致荧光 多孔硅氧化 钉扎和增强效应 电子陷阱态 |
Trap States in Oxidation Layer of Nanocrystal Si |
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| HUANG Wei-qi,QIN Cao-jian,XU Li,WU Ke-yue. Trap States in Oxidation Layer of Nanocrystal Si[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2009, 0(1) |
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| Authors: | HUANG Wei-qi QIN Cao-jian XU Li WU Ke-yue |
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| Affiliation: | 1.Key Laboratory of Photoelectron technology and application;Guizhou University;Guiyang 550026;China;2.Institute of Geochemistry;Chinese Academy of Sciences;Guiyang 550003;China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | photoluminescence porous silicon trap states |
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