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| 低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs | |
| 作者姓名： | 刘英坤 梁春广 邓建国 张颖秋 郎秀兰 李思渊 |
| 作者单位： | [1]兰州大学物理系,兰州730000 [2]河北半导体研究所,石家庄050051 |
| 摘 要： | 采用梯形栅结构和难熔金属钼栅工艺 ,研制出了高性能 ,低电压工作 ,适用于移动通信的甚高频功率VDMOS场效应晶体管 .该器件在 175 MHz、 12 V低电压工作条件下 ,输出功率为 12 W,漏极效率为 70 % ,功率增益为 12 d B |
| 关 键 词： | 低压 梯形栅结构 钼栅工艺 甚高频功率VDMOSFET |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）08-0975-04 |
| 修稿时间： | 2001-01-05 |
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