| 激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO3晶体薄膜及其性能 |
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| 引用本文： | 黄靖云,叶志镇,汪雷,叶龙飞,赵炳辉.激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO3晶体薄膜及其性能[J].半导体学报,2002,23(5):488-491. |
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| 作者姓名： | 黄靖云 叶志镇 汪雷 叶龙飞 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;90101009; |
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| 摘 要： | 采用激光脉冲沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长得到了完全c轴择优取向的LiNbO3(LN)薄膜,X射线衍射分析表明LN(006)衍射峰的半峰宽为0.35°.利用棱镜耦合器,激光可以被耦合到LN薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.测得LN薄膜的折射率n0为2.285,薄膜的厚度为0.199μm.
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| 关 键 词： | 光波导 铌酸锂薄膜 激光脉冲沉积法 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)05-0488-04 |
| 修稿时间： | 2001年9月8日 |
Growth and Characterization of c-Orient LiNbO3 Films on Si(100) by Pulse Laser Deposition |
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| Huang Jingyun,Ye Zhizhen,Wang Lei,Ye Longfei and Zhao Binghui.Growth and Characterization of c-Orient LiNbO3 Films on Si(100) by Pulse Laser Deposition[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(5):488-491. |
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| Authors: | Huang Jingyun Ye Zhizhen Wang Lei Ye Longfei and Zhao Binghui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | optical waveguide LiNbO_3 film pulse laser deposition |
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