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| As-Te玻璃半导体的温差电动势率和电导率的研究 | |
| 作者姓名： | 张仿清 张南屏 王印月 陈光华 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系(张仿清，张南屏，王印月)，兰州大学物理系(陈光华) |
| 摘 要： | 本文给出体样品As-Te、As-Te-Ge和(As_2Te_3)_(1-x)Ni_x 硫系玻璃半导体温差电动势率和直流电导率与温度的关系。实验结果表明:在相当宽的温度范围内,电导率激活能E_σ比激活能E_s(从温差电动势率与温度关系曲线上求出的)大。E_σ和E_s的差在0.15～0.2eV之间。这个结果表明了温差电动势率比电导率有弱的温度依赖关系。电导机理可以用延展态和局域态同时输运的双通道模型来解释。在低温区,观察到费米能级附近跳跃导电。对于掺Ni的(As_2Te_3)_(1-x)Ni_x玻璃,实验表明Ni对电导率影响较小,而温差电动势率随Ni含量的增大而减小。 |
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