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碲镉汞薄膜表面钝化的研究进展
引用本文:房诗玉,王雅荣,田志新,史继超,房永征,孙常鸿,叶振华,刘玉峰.碲镉汞薄膜表面钝化的研究进展[J].红外,2021,42(9):1-13.
作者姓名:房诗玉  王雅荣  田志新  史继超  房永征  孙常鸿  叶振华  刘玉峰
作者单位:上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海201418;中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海201418;中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
基金项目:中国科学院红外成像材料与器件重点实验室开放基金项目(IIMDKFJJ-19-01);上海市自然科学基金面上项目(20ZR1455400)
摘    要:赝二元体系碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, HgxCd1-xTe)材料具有优异的光电特性,是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一。为了获得性能优异的HgxCd1-xTe探测器及其组件,目前已经发展了各种HgxCd1-xTe材料制备技术和器件制作工艺。但在各种材料制备及器件应用过程中,HgxCd1-xTe表面均会受到环境和不良表面效应的影响,所以需要采用先进的钝化工艺对其表面电荷态进行处理,改善材料表面的电学物理特性,从而实现器件探测性能的提升。因此,HgxCd1-xTe薄膜表面钝化工艺对HgxCd1-xTe红外探测器的性能提升至关重要。总结和分析了近年来碲镉汞薄膜表面钝化层的生长方法。按照本源钝化和非本源钝化进行了分类总结和综述,分析了不同钝化方法的优缺点,并对未来碲镉汞薄膜钝化工艺进行了展望。

关 键 词:碲镉汞  红外探测器  表面钝化
收稿时间:2021/8/5 0:00:00
修稿时间:2021/8/16 0:00:00

Research Progress of Surface Passivation of HgxCd1-xTe Films
Fang Shiyu,Wang Yarong,Tian Zhixin,Shi Jichao,Fang Yongzheng,Sun Changhong,Ye Zhenhua and Liu Yufeng.Research Progress of Surface Passivation of HgxCd1-xTe Films[J].Infrared,2021,42(9):1-13.
Authors:Fang Shiyu  Wang Yarong  Tian Zhixin  Shi Jichao  Fang Yongzheng  Sun Changhong  Ye Zhenhua and Liu Yufeng
Affiliation:School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology,School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology,School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology,School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology,School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology,Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Devices,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Devices,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology
Abstract:
Keywords:mercury cadmium telluride  infrared detector  surface passivation
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