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BaO Nd2O3 Sm2O3 TiO2薄膜的微波特性
引用本文:张洪波,王文君,秦超,张巧真,张继华.BaO Nd2O3 Sm2O3 TiO2薄膜的微波特性[J].压电与声光,2013,35(5):716-718.
作者姓名:张洪波  王文君  秦超  张巧真  张继华
作者单位:电子科技大学薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054
基金项目:国家自然科学基金资助项目(51172035)
摘    要:在制作完底电极的LaAlO3(100)衬底上,利用磁控溅射法制备了一层BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)系薄膜,再对薄膜进行退火处理.X线衍射仪(XRD)分析表明,经退火处理的BNST薄膜结晶效果良好.采用薄膜电容结构来实现电容的测量,主要研究了BNST薄膜电容的频率特性.阻抗分析测试和矢量网络分析测试表明,在测试频率为1 MHz时,介电常数为58.3,介电损耗小于2%;在1 GHz的测试频率下,介电常数为57.5,介电损耗小于3%.研究表明,制备的BNST薄膜的频率特性稳定,基本满足微波频率下使用的要求.

关 键 词:BNST薄膜  射频磁控溅射  高频应用  介电性能

Microwave Properties of BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2 Thin Film
ZHANG Hongbo,WANG Wenjun,QIN Chao,ZHANG Qiaozhen and ZHANG Jihua.Microwave Properties of BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2 Thin Film[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2013,35(5):716-718.
Authors:ZHANG Hongbo  WANG Wenjun  QIN Chao  ZHANG Qiaozhen and ZHANG Jihua
Affiliation:State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
Abstract:
Keywords:BNST film  RF magnetron sputtering  high frequency application  dielectric properties
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