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| 光电耦合器总剂量辐照的噪声表征 | |
| 引用本文： | 李应辉,陈春霞,蒋城,刘永智.光电耦合器总剂量辐照的噪声表征[J].电子学报,2009,37(8):1707-1711. |
| 作者姓名： | 李应辉 陈春霞 蒋城 刘永智 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学光电信息学院,四川成都,6113054;重庆光电技术研究所,重庆,400060 2. 重庆光电技术研究所,重庆,400060 3. 电子科技大学光电信息学院,四川成都,6113054 |
| 摘 要： | 本文在研究光电耦合器工作原理、辐照理论及1/f噪声理论的基础上,分析了光电耦合器辐照噪声产生机理及特性,建立了光电耦合器总剂量辐照损伤噪声模型.研究结果表明,随着辐照总剂量增强, LED及光敏管氧化层中引入的氧化层陷阱密度增多,载流子数涨落增强,从而使电压噪声功率谱密度增加.实验结果验证理论分析的正确性,电压噪声功率谱密度可作为光电耦合器辐照损伤表征参量. |
| 关 键 词： | 光电耦合器 辐照 噪声 |
| 收稿时间： | 2008-01-14 |
1/f Noise Denoting for Radiation Tatal Dose of Optocoupler |
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| LI Ying-hui,CHEN Chun-xia,JIANG Cheng,LIU Yong-zhi.1/f Noise Denoting for Radiation Tatal Dose of Optocoupler[J].Acta Electronica Sinica,2009,37(8):1707-1711. | |
| Authors: | LI Ying-hui CHEN Chun-xia JIANG Cheng LIU Yong-zhi |
| Affiliation: | 1;2;1.School of Optoelectronic Information;University of Electroic Science and Technology of China;Chengdu Sichuan 610054;China;2.Chongqing Optoelectronics Research In stitute;Chongqing 400060;China |
| Abstract: | Base on working principium of optocoupler,and the theory of radiation and 1/f noise,The mechanism and the charactory of radiation optocoupler are analysed,1/f noise radiation model are established,flowing tatal dose.Flowing the radiation dose increasing,traps of LED and phototransistor increasing,fluctuate of carries growing,the power spectrum of voltage noise largening,the power spectrum of voltage noise may be a new denotable parameter for optocoupler reliability. |
| Keywords: | optocoupler radiation noise |
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