| 三端双向负阻晶体管的模拟与实验 |
| |
| 作者姓名： | 莫太山 张世林 郭维廉 梁惠来 毛陆虹 郑云光 |
| |
| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,微电子系,天津,300072 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性
|
| 关 键 词： | 双向负阻晶体管 三端 S型负阻 器件模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)08-0986-05 |
| 修稿时间： | 2003-08-10 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
